삼성전자가 세계 최고 용량의 '1Tb(테라비트) 8세대 V낸드' 양산에 돌입한다고 7일 밝혔다.
삼성전자 '1Tb TLC(Triple Level Cell) 8세대 V낸드'는 업계 최고 비트 밀도(Bit Density)의 고용량 제품으로 웨이퍼당 비트 집적도가 이전 세대보다 대폭 향상됐다.
최신 낸드플래시 인터페이스 'Toggle DDR 5.0'이 적용돼 최대 2.4Gbps의 데이터 입출력 속도를 지원한다. 7세대 V낸드 대비 약 1.2배 향상됐다.
또 8세대 V낸드는 PCIe 4.0 인터페이스를 지원하며 향후 PCIe 5.0까지 지원할 계획이다.
삼성전자는 8세대 V낸드를 앞세워 차세대 엔터프라이즈 서버 시장의 고용량화를 주도함과 동시에 높은 신뢰성을 요구하는 자동차 시장까지 사업 영역을 넓혀나갈 계획이다.
허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실 부사장은 "시장의 고집적·고용량에 대한 요구로 V낸드의 단수가 높아졌다"며 "삼성전자는 3차원 스케일링(3D scaling) 기술로 셀의 집적도를 높이면서도 오류가 날 수 있는 간섭 현상을 제어하는 기반 기술을 확보했다"고 말했다. 이어 "8세대 V낸드를 통해 시장의 수요를 만족시키고, 더욱 차별화된 제품과 솔루션을 제공해 나갈 것"이라고 덧붙였다.
앞서 삼성전자는 지난 8월 '플래시 메모리 서밋'과 10월 '삼성 테크 데이'에서 세계 최고 용량의 8세대 V낸드 양산 계획과 다양한 차세대 메모리 솔루션을 발표한 바 있다.
2002년부터 낸드플래시 1위 자리를 지키고 있는 삼성전자는 2024년 9세대 V낸드를 양산하고 2030년까지 1000단 V낸드 개발 등 혁신적인 신기술과 원가경쟁력을 바탕으로 시장의 패러다임을 주도해나갈 계획이다.
[Queen 김정현 기자] 사진 뉴스1
