삼성전자가 5세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM3E '샤인볼트'를 시장에 처음으로 공개했다. HBM 분야에서 SK하이닉스와 경쟁하는 삼성전자가 메모리 시장의 주도권을 확고히 하겠다는 의지를 보인 것이다.
삼성전자는 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 '삼성 메모리 테크 데이 2023'을 열고 초거대 AI(인공지능)를 주도할 차세대 메모리 솔루션을 공개했다.
'샤인볼트'의 처리 속도는 입출력 핀 1개당 최대 9.8Gbps(초당 기가비트)로 초당 1.2TB(테라바이트) 이상을 처리할 수 있다. 대략 30GB(기가바이트) 용량의 초고화질(UHD) 영화 40편을 1초 안에 처리할 수 있는 속도다. NCF(비전도성 접착 필름) 기술을 통해 칩 사이를 빈틈없이 채워 고단 적층을 구현하고 열전도를 극대화했다.
HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3) 순으로 개발돼 왔다. 삼성전자는 HBM에 '볼트'(Bolt)라는 이름을 붙이고 있는데 △HBM2 플레어볼트 △HBM2 아쿠아볼트 △HBM2E 플래시볼트 △HBM3 아이스볼트 등이 대표적이다.
삼성전자는 HBM3E 공개를 통해 공정 경쟁에 속도를 붙이며 다소 앞서 있다고 평가받는 SK하이닉스의 뒤를 바짝 추격할 것으로 보인다. SK하이닉스는 먼저 5세대 HBM3E 개발에 성공, 내년부터 양산할 계획이며 엔비디아에 시제품을 공급하는 등 고객사 확보에서 성과를 내고 있다.
이에 이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장)은 "HBM3E도 고객들에게 샘플을 전달하고 있다"며 "한계를 뛰어넘는 확장된 솔루션을 제공해 메모리 시장을 지속 선도해 나갈 것"이라고 말했다. 황상준 부사장도 최근 기고문에서 "2025년을 목표로 HBM4를 개발 중"이라고 밝힌 바 있다.
삼성전자는 10나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1m) 이하 D램에서 3D 신구조 도입을 준비하고 있고, 단일 칩에서 100Gb(기가비트) 이상으로 용량을 확장할 계획이다.
9세대 V낸드에서 더블스택 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중인 삼성전자는 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 확보했다고 설명했다. 더블스택은 낸드를 두 번에 나눠서 만든 뒤 한 개 칩으로 결합하는 방법이다. 같은 단수를 더블스택으로 구현하면 생산 시간과 공정 수를 대폭 줄일 수 있다.
또 삼성전자는 고성능·고용량·저전력·작은 폼팩터 등을 지원하는 솔루션을 공개했다. 특히 업계 최초로 개발한 '7.5Gbps LPDDR5X CAMM2'은 차세대 PC·노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 제품으로 꼽힌다.
2025년 자동차 전자부품(전장) 메모리 시장 1위를 위한 차랑용 메모리 제품도 선보였다.
삼성전자는 스토리지 가상화를 통해 하나의 SSD(솔리드스테이트드라이브)를 분할해 여러 개의 SoC(시스템 온 칩)를 사용할 수 있는 할 수 있는 '탈부착 차량용 SSD'를 공개했다. 자율주행 시스템의 고도화에 따라 차량용 메모리 시장에서는 고대역폭, 고용량 D램과 여러 개의 SoC 등이 필요하다.
지현애 기자 사진제공 뉴스1
